COMPARE / 選定と使い分け
GaNとSiCの違い
どちらもシリコンより広いバンドギャップを持つパワー半導体材料。GaNは電子移動度が高く、電源・充電器や基地局のRF電力増幅器などで使われ、SiCは熱伝導率が高く、EV用インバータなどで使われる。
HOW IT WORKS / 仕組みから比べる
横方向と縦方向、電流経路の違い
「比較表で確認」を選ぶと、対応する説明へ移動します。
GaN HEMT / 横型の例
SiC MOSFET / 縦型の例
端子配置と導通経路だけの概念図です。橙線は導通経路を示し、電流や電子の移動方向は示しません。GaNの縦型など例外もあり、材質だけで全製品の構造や性能は決まりません。
比較表で確認代表的なトランジスタ ↓基板 ↓
参考資料・更新情報 （1件）
確認日: 2026-11-01
FOCUS / 気になる違いから読む
バンドギャップ
A / GaN
3.4eV（300K）
B / SiC
4Hで3.23eV
熱伝導率（300K）
A / GaN
1.3 W/(cm·K)
B / SiC
4Hで348 W/(m·K)（約3.5 W/(cm·K)）
電子移動度
A / GaN
約1500 cm²/(V·s)（300K）
B / SiC
約900 cm²/(V·s)
代表的なトランジスタ
A / GaN
HEMT。多くはデプレッション型で、ノーマリオフ化の手法が複数ある
B / SiC
MOSFET、JFET。1200V品が商用化されている
基板
A / GaN
シリコン基板上に成長させてコストをシリコンに近づける手法がある
B / SiC
SiC基板。結晶欠陥やSiC/SiO2界面の課題が指摘されている
主な用途
A / GaN
電源・充電器、5G基地局、RF電力増幅器
B / SiC
EV用インバータ、力率改善回路、IGBTパワーモジュール内のショットキーダイオード
A / こんなときに検討
GaN
- 高いスイッチング周波数で電源や充電器を小型化したい用途
- RF電力増幅器や基地局向けの高周波用途
B / こんなときに検討
SiC
- 放熱条件が厳しく、材料の熱伝導率を重視する設計
- EV駆動用インバータなどの大電力用途
観点ごとの違い
| 観点 | GaN | SiC |
|---|---|---|
| バンドギャップ | 3.4eV（300K） | 4Hで3.23eV |
| 熱伝導率（300K） | 1.3 W/(cm·K) | 4Hで348 W/(m·K)（約3.5 W/(cm·K)） |
| 電子移動度 | 約1500 cm²/(V·s)（300K） | 約900 cm²/(V·s) |
| 代表的なトランジスタ図に戻る ↑ | HEMT。多くはデプレッション型で、ノーマリオフ化の手法が複数ある | MOSFET、JFET。1200V品が商用化されている |
| 基板図に戻る ↑ | シリコン基板上に成長させてコストをシリコンに近づける手法がある | SiC基板。結晶欠陥やSiC/SiO2界面の課題が指摘されている |
| 主な用途 | 電源・充電器、5G基地局、RF電力増幅器 | EV用インバータ、力率改善回路、IGBTパワーモジュール内のショットキーダイオード |
置き換え・調達で確認すること
仕様書と照らし合わせ、確認できた項目にチェックしてください。チェックはこのページを離れると消えます。
仕様が決まったら
分類を選ぶと、見積依頼文の作成に進めます。メーカー一覧では購入先を確認できます。
GaN パワーデバイスの見積依頼文 →SiC MOSFETの見積依頼文 → メーカー・代理店を探す ↓関連する比較
参考資料・更新情報 （2件）
一般的な傾向をまとめたものです。個々の製品の値はデータシートで確認してください。誤りはこちらからお知らせください。