COMPARE / 選定と使い分け
SiC MOSFETとSi MOSFETの違い
SiCはSiより絶縁破壊電界が大きく、同じ耐圧ではドリフト層を薄く、高濃度に設計できます。Siにはスーパージャンクション（SJ）構造などで抵抗を抑える製品があります。材料名だけで選ばず、オン抵抗・スイッチング損失・ゲート駆動条件を品番ごとに比較します。
HOW IT WORKS / 仕組みから比べる
耐圧を支えるドリフト層に注目する
「比較表で確認」を選ぶと、対応する説明へ移動します。
SiC / 薄いドリフト層を設計できる
Si / 従来型のドリフト層の例
従来型の縦型MOSFETのドリフト層だけを強調した概念図です。寸法比・抵抗比・性能比を示しません。ゲートやチャネル、基板の抵抗もあり、SiCへの置換時はゲート駆動条件を確認します。
参考資料・更新情報 （2件）
- ROHM — SiC Power Devices and Modules, §3.2（構造の原理） ↗
- 東芝 — Power MOSFET Structure and Characteristics, §1.2 ↗
確認日: 2026-11-01
FOCUS / 気になる違いから読む
材料の特徴
A / SiC MOSFET
絶縁破壊電界が大きいワイドバンドギャップ半導体。ドリフト層の設計に違いが出る
B / Si MOSFET
従来構造のほか、p/n領域による電荷補償を使うSJ構造などがある。動作温度の上限は品番の定格で確認
耐圧の領域
A / SiC MOSFET
製品の定格耐圧を確認し、回路の最大電圧やサージを考慮する
B / Si MOSFET
製品の定格耐圧を確認し、回路の最大電圧やサージを考慮する
500V超〜650V前後
A / SiC MOSFET
650V品がEV用インバータに使われている例がある
B / Si MOSFET
500V超ではチャージ補償（スーパージャンクション）構造でエピタキシャル層の抵抗を大幅に下げる製品がある
ゲート駆動
A / SiC MOSFET
正負の駆動電圧、推奨値、最大定格を品番ごとに確認。既存のSi用ドライバをそのまま使えるとは限らない
B / Si MOSFET
推奨駆動電圧、オン抵抗の測定条件、ゲート・ソース間の最大定格を品番ごとに確認
A / こんなときに検討
SiC MOSFET
- 高耐圧の回路で、ドリフト層の抵抗やスイッチング損失を抑える選択肢を検討するとき
B / こんなときに検討
Si MOSFET
- 既存のSi MOSFETを基準に、必要な耐圧・オン抵抗・損失を満たす製品を選ぶとき
- SJ構造などを含め、駆動条件と回路全体の損失を比較したいとき
観点ごとの違い
| 観点 | SiC MOSFET | Si MOSFET |
|---|---|---|
| 材料の特徴図に戻る ↑ | 絶縁破壊電界が大きいワイドバンドギャップ半導体。ドリフト層の設計に違いが出る | 従来構造のほか、p/n領域による電荷補償を使うSJ構造などがある。動作温度の上限は品番の定格で確認 |
| 耐圧の領域 | 製品の定格耐圧を確認し、回路の最大電圧やサージを考慮する | 製品の定格耐圧を確認し、回路の最大電圧やサージを考慮する |
| 500V超〜650V前後図に戻る ↑ | 650V品がEV用インバータに使われている例がある | 500V超ではチャージ補償（スーパージャンクション）構造でエピタキシャル層の抵抗を大幅に下げる製品がある |
| ゲート駆動図に戻る ↑ | 正負の駆動電圧、推奨値、最大定格を品番ごとに確認。既存のSi用ドライバをそのまま使えるとは限らない | 推奨駆動電圧、オン抵抗の測定条件、ゲート・ソース間の最大定格を品番ごとに確認 |
置き換え・調達で確認すること
仕様書と照らし合わせ、確認できた項目にチェックしてください。チェックはこのページを離れると消えます。
仕様が決まったら
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SiC MOSFETの見積依頼文 →パワーMOSFET（Si）の見積依頼文 → メーカー・代理店を探す ↓関連する比較
一般的な傾向をまとめたものです。個々の製品の値はデータシートで確認してください。誤りはこちらからお知らせください。