COMPARE / 選定と使い分け

NANDフラッシュとNORフラッシュの違い

NANDは高集積化に有利で、SSDやUSBメモリなどのデータストレージに使われます。NORはバイト単位のランダム読み出しが速く、マイコン機器のシステムメモリやROMの置き換え、ファームウェア更新に使われます。書換え耐性やデータ保持期間にも差があります。

HOW IT WORKS / 仕組みから比べる

読み出し・書き込み・消去で、扱う範囲が変わる様子を見ます。

枠付きの部位や「比較表で確認」を選ぶと、対応する説明へ移動します。

NAND / ページをまとめる

NOR / アドレスを指定する

色のついた範囲が操作対象です。枠の個数や面積は容量比ではありません。NANDのページバッファやECC回路は省略。図は一般的なRaw NANDとシリアルNORの例です。

比較表で確認ランダム読み出し ↓書き込み・消去 ↓インタフェース ↓

次に、置き換え・調達の確認事項を見る →メーカー・代理店を探す ↓

参考資料・更新情報（2件）

確認日: 2026-11-01

FOCUS / 気になる違いから読む

ランダム読み出し

A / NAND フラッシュ

セルアレイからはページ単位で読み出す。ページバッファから必要なデータを転送する方式などがある

B / NOR フラッシュ

指定アドレスから読み出せる。バイト・ワード幅や転送方式は製品ごとに異なる

書き込み・消去

A / NAND フラッシュ

ページを単位にプログラムし、複数ページを含むブロックを消去する。部分書き込みの回数制限は製品で確認する

B / NOR フラッシュ

プログラム単位は製品による。シリアルNORにはページプログラム方式があり、消去はセクタ・ブロック単位などで行う

集積度と容量

A / NAND フラッシュ

高集積化に有利で大容量。シリアルNANDは低コスト・大容量向け

B / NOR フラッシュ

NANDに比べ高集積化に不利

インタフェース

A / NAND フラッシュ

パラレル型やシリアル型があり、コマンド・アドレス・データの転送方式を確認する

B / NOR フラッシュ

パラレル型やSPIなどのシリアル型がある。バス幅は製品ごとに確認する

書換え耐性

A / NAND フラッシュ

NOR型より劣化が激しい。目安はSLCで数万回、MLCで数千回、TLCで数百回、QLCで数十回程度

B / NOR フラッシュ

NAND型より劣化が緩やか

データ保持

A / NAND フラッシュ

公称値はSLC約10年、MLC約5年、TLC約3年、QLC約2年以下（書換えで劣化していない状態）

B / NOR フラッシュ

一般に約20年

主な用途

A / NAND フラッシュ

SSD、USBメモリなどのデータストレージ。シリアルNANDは車載などの低コスト・大容量設計向け

B / NOR フラッシュ

マイコン機器のシステムメモリ、ROMの置き換え、ファームウェア更新

A / こんなときに検討