EEPROMとフラッシュメモリの違い
フラッシュメモリはEEPROMの一種で、記憶セルの基本構造は共通です。違いの核心は消去の単位で、バイト単位で扱えるものを一般にEEPROM、ブロック単位で消去するものをフラッシュメモリと呼びます。
1バイトを変えたいとき、どこまで消去する？
「比較表で確認」を選ぶと、対応する説明へ移動します。
EEPROM / 対象バイトを更新
Flash / 消去単位をまとめて扱う
マスの個数は説明用です。実際の消去・書き込み単位、ビットの変更条件、電源断への備えはデータシートとソフトウェア設計で確認します。
消去・書き換えの単位
バイト単位で操作できるものを指す。初期は1バイト単位のみで低速だったが、現在は複数バイトをまとめて扱うページ操作に対応する製品がある
ブロック単位でまとめて消去する。ブロックの大きさは数キロバイトから数十キロバイト程度
書き換え回数の目安
メーカーの目安として10の6乗回以上とされる
主要な商用製品は約10万回のP/Eサイクルに耐えるよう保証されるとされる。セル種別（SLC、MLC、TLC、QLC）で大きく異なる
データ保持期間
10年以上とされる。温度が高いほど電荷が失われやすい
NOR型は一般に20年程度とされる。高温や放射線の環境では短くなる
セル構造と面積
セルごとに読み取り・書き込み・消去用のトランジスタが必要で、フラッシュメモリより単位容量あたりの面積が大きくなる
ブロック単位の消去により構造が簡素化し、価格が下がった
用途・特性の例
電源を切っても保持する設定値や、周辺ICの校正情報の保存
NOR型は読み出しが高速、NAND型は書き込みが高速で高集積化に有利
書き込み速度
ミリ秒オーダーとされる
NOR型は書き込みが低速、NAND型は書き込みが高速とされる
EEPROM
- 校正値や設定値など、少量のデータをバイト単位で書き換えたいとき
- リアルタイムクロックやデジタルポテンショメータのように、周辺ICが校正情報を保持するとき
フラッシュメモリ
- 読み出し速度を重視するならNOR型、書き込み速度と集積度を重視するならNAND型を検討する
観点ごとの違い
| 観点 | EEPROM | フラッシュメモリ |
|---|---|---|
| 消去・書き換えの単位図に戻る ↑ | バイト単位で操作できるものを指す。初期は1バイト単位のみで低速だったが、現在は複数バイトをまとめて扱うページ操作に対応する製品がある | ブロック単位でまとめて消去する。ブロックの大きさは数キロバイトから数十キロバイト程度 |
| 書き換え回数の目安 | メーカーの目安として10の6乗回以上とされる | 主要な商用製品は約10万回のP/Eサイクルに耐えるよう保証されるとされる。セル種別（SLC、MLC、TLC、QLC）で大きく異なる |
| データ保持期間 | 10年以上とされる。温度が高いほど電荷が失われやすい | NOR型は一般に20年程度とされる。高温や放射線の環境では短くなる |
| セル構造と面積 | セルごとに読み取り・書き込み・消去用のトランジスタが必要で、フラッシュメモリより単位容量あたりの面積が大きくなる | ブロック単位の消去により構造が簡素化し、価格が下がった |
| 用途・特性の例図に戻る ↑ | 電源を切っても保持する設定値や、周辺ICの校正情報の保存 | NOR型は読み出しが高速、NAND型は書き込みが高速で高集積化に有利 |
| 書き込み速度 | ミリ秒オーダーとされる | NOR型は書き込みが低速、NAND型は書き込みが高速とされる |
置き換え・調達で確認すること
仕様書と照らし合わせ、確認できた項目にチェックしてください。チェックはこのページを離れると消えます。
仕様が決まったら
分類を選ぶと、見積依頼文の作成に進めます。メーカー一覧では購入先を確認できます。
EEPROM・SRAM・その他メモリの見積依頼文 →フラッシュメモリ（NAND・NOR）の見積依頼文 → メーカー・代理店を探す ↓関連する比較
参考資料・更新情報 （2件）
一般的な傾向をまとめたものです。個々の製品の値はデータシートで確認してください。誤りはこちらからお知らせください。